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離子研磨儀IM4000II

所屬系列:ZJYQ-ZYQCLMP-HITACHI

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產品描述
日立離子研磨儀標準機型IM4000Ⅱ能夠進行截面研磨和平面研磨。還可通過低溫控制及真空轉移等各種選配功能,針對不同樣品進行截面研磨。
離子研磨儀IM4000II特點:
▲率的截面研磨
IM4000II配備截面研磨能力達到500 μm/h*1以上的率離子槍。因此,即使是硬質材料,也可以地制備出截面樣品。
*1 在加速電壓6 kV下,將Si片從遮擋板邊緣突出100 μm并加工1小時的大深度
截面研磨時如果擺動的角度發生變化,加工的寬度和深度也會發生變化。下圖為Si片在擺動角度為±15°下進行截面研磨后的結果。除擺動角度以外,其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結果進行對比后,可發現加工的深度變深。
對于觀察目標位于深處的樣品來說,能夠對樣品進行更快速的截面研磨。
▲復合型研磨儀
截面研磨
即使是由不同硬度以及研磨速度材質所構成的復合材料,也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面
優化加工條件,降低因離子束所致樣品的損傷
可裝載大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
截面研磨的主要用途
金屬以及復合材料、高分子材料等樣品的截面制備
含有裂縫和空隙等特定位置的樣品截面制備
多層樣品的截面制備以及對樣品EBSD分析的前處理
平面研磨
直徑約為5mm范圍內的均勻加工
應用領域廣泛
大可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品
可選擇旋轉和擺動(±60度,±90度的擺動)2種加工方法
平面研磨的主要用途
去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變
去除樣品表層部分
消除因FIB加工所致的損傷層

離子研磨儀IM4000II規格:                     

主要內容

使用氣體

氬氣

氬氣流量控制方式

質量流量控制

加速電壓

0.0 6.0 kV

尺寸

616(W) × 736(D) × 312(H) mm

重量

主機53 kg+機械泵30 kg

截面研磨

快研磨速度(Si材料)

500 μm/h*1以上

大樣品尺寸

20(W×12(D×7Hmm

樣品移動范圍

X±7 mmY 0 +3 mm

離子束間歇加工功能
開啟/關閉 時間設定范圍

1 5959

擺動角度

±15°±30°±40°

廣域截面研磨功能

-

平面研磨

大加工范圍

φ32 mm

大樣品尺寸

Φ50 X 25 (H) mm

樣品移動范圍

X 0~+5 mm

離子束間歇加工功能
開啟/關閉 時間設定范圍

1 5959

旋轉速度

1 rpm25 rpm

擺動角度

±60°± 90°

傾斜角度

0 90°

*1將Si片從遮擋板邊緣突出100 μm并加工1小時的深度。

選配項:

項目

內容

低溫控制功能*2

通過液氮間接冷卻樣品,溫度設定范圍:0°C 100°C

硬遮擋板

使用時間約為標準遮擋板的2倍(不含鈷)

加工過程觀察用顯微鏡

放大倍數 15× 100× 雙目型、三目型(可裝CCD

*2需與主機同時訂購。冷卻溫度控制功能在使用時,部分功能可能使用有限。


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